半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374379
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250921
特許番号：特許第3485087号
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】同一基板に、異なる電圧によって駆動する高耐圧型トランジスタと低耐圧型トランジスタとを含む半導体装置であって、前記高耐圧型トランジスタの上に層間絶縁膜を介して設けられ、高電位が与えられる配線層と、前記基板内に、前記高耐圧型トランジスタを囲むように設けられた素子分離用のガードリング領域と、少なくとも素子分離絶縁膜と前記配線層との間に設けられ、かつ、前記高耐圧型トランジスタを囲むように設けられた固定電位配線層と、を備え、前記固定電位配線層は、前記ガードリング領域に対応する領域に設けられ、かつ、前記ガードリング領域と電気的に接続された、半導体装置。

IPC (4件)：