特許
J-GLOBAL ID：201103044931848250
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359313
特許番号：特許第4204206号
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一方の主面に素子が形成された半導体基板と上記素子上に空間が形成されるように上記素子を封止するキャップとを備え、上記半導体基板の一方の主面の上記素子の周りに形成された積層接合層と上記キャップに形成されたNi層とを接合することにより上記素子を封止した半導体装置において、
上記積層接合層は、不純物がドープされた第1のポリシリコン層と絶縁層と不純物がドープされていない第2のポリシリコン層とが順に積層されてなりかつ、上記第1のポリシリコン層と上記第2のポリシリコン層とは一部分で接触し、その接触部分を介して上記第1のポリシリコン層から上記第2のポリシリコン層に上記不純物が拡散されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/04 ( 200 6.01)
, G01P 15/125 ( 200 6.01)
, H01L 23/00 ( 200 6.01)
, H01L 23/02 ( 200 6.01)
, H01L 23/10 ( 200 6.01)
, H01L 29/84 ( 200 6.01)
H01L 23/04 A
, H01L 23/04 Z
, G01P 15/125 Z
, H01L 23/00 B
, H01L 23/02 J
, H01L 23/10 B
, H01L 29/84 Z
