特許
J-GLOBAL ID：200903032669277207

加速度センサの製造方法

発明者：
赤井 澄夫

赤井 澄夫 について

, 
齊藤 宏

齊藤 宏 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045589
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243976
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】ダイシングに伴う収率の低下が抑制される加速度センサの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板10の主表面側に拡散抵抗配線15を形成し、シリコン窒化膜19aを形成した後に、単結晶シリコン基板10の主表面側を、SOG膜5を回転塗布することにより平坦化する。その後、平坦化された面上に金属層たる接合用金属層17を形成する。したがって、接合用金属層17の表面も平坦になり、接合用金属層17と上部キャップ30との間に隙間が形成されないから、ダイシング時にセンサチップ内部へ水や切削屑が侵入するのを防止することができ、ダイシングに伴う収率の低下が抑制される。
請求項（抜粋）：
支持部に薄肉の撓み部を介して揺動自在に支持された重り部を有し、撓み部に撓み部の変形を検出するセンシング部が形成され、センシング部から支持部にわたって拡散抵抗配線が形成された半導体基板と、半導体基板の主表面側に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に支持部に対応して重り部および撓み部を囲むように形成された接合用の金属層と、該金属層を介して半導体基板に接合された第1のキャップと、半導体基板の裏面側に接合され少なくとも重り部および撓み部を囲む第2のキャップとを備えた加速度センサの製造方法であって、半導体基板の主表面上に上記絶縁膜を形成した後、半導体基板の主表面側にSOG膜を回転塗布することにより半導体基板の主表面側を平坦化し、当該平坦化された面上に上記金属層を形成し、その後、第1のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに半導体基板と第2のキャップとで囲まれる空間と外部とを連通させる通気穴が設けられた第2のキャップを半導体基板の裏面側に接合することを特徴とする加速度センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/301
FI (3件)：
H01L 29/84 A ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/78 L
Fターム (13件)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA23 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112GA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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