n型ZnOにおけるオーム性電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240839
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068431
特許番号：特許第3333476号
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型ZnOの表面にオーム性電極を形成するためのn型ZnOにおけるオーム性電極の形成方法において、n型ZnOの表面に0.3〜0.4J/cm2のフルエンスでパルスレーザー光を照射して、ZnとOとの結合を切ってZnが豊富な化学量論的組成でない層である低抵抗化層を形成する第1のステップと、前記第1のステップにおいて形成された低抵抗化層にオーム性電極として導体を形成する第2のステップとを有するn型ZnOにおけるオーム性電極の形成方法。

IPC (1件)：