特許

J-GLOBAL ID：201103045122637970

GaInP系積層構造体の製造方法

発明者： 木村 誠宏 ,  笠原 明 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102567
特許番号：特許第3275895号
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】有機金属熱分解気相成長(MOCVD)法により、半絶縁性のGaAs単結晶基板上に、緩衝層、GaZIn1-ZAs(0<Z≦1)からなる電子走行層、それぞれGaXIn1-XP(0<X≦1)からなるスペーサ層と電子供給層を順次成長するGaInP系積層構造体の製造方法に於いて、AlYGa1-YAs(0≦Y≦1)層からなる緩衝層を第III族元素のトリメチル化合物を原料として気相成長し、緩衝層と電子走行層との間にGaAs層をトリエチルガリウムをガリウム原料として気相成長し、電子走行層とスペーサ層と電子供給層とがn形の導電形を有し、スペーサ層と電子供給層とをトリメチルガリウムをガリウム原料として気相成長し、スペーサ層と電子供給層とが接していることを特徴とするGaInP系積層構造体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060594   出願人：富士通株式会社
• GaInP系積層構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274358   出願人：昭和電工株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060594   出願人：富士通株式会社