特許
J-GLOBAL ID:201103045374170411

アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法および液晶パネルの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-160239
公開番号(公開出願番号):特開2000-347217
特許番号:特許第3778407号
出願日: 1999年06月07日
公開日(公表日): 2000年12月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数の走査配線および複数の信号配線が互いに交差するように設けられていると共に、両配線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子を介して両配線と接続された絵素電極が設けられ、さらに、該絵素電極の下層に厚み300nm〜500nmのSiNxまたはSiOxからなる絶縁膜を介して該絵素電極と一部重畳するように複数の共通信号配線が設けられて、重畳部の共通信号配線部分を下部電極とし、該重畳部の絵素電極部分を上部電極とする補助容量部が構成されているアクティブマトリクス基板において、該上部電極と該下部電極との短絡欠陥が生じている場合に該短絡欠陥を修正する方法であって、 該短絡欠陥がピンホールである場合に、該アクティブマトリクス基板を対向基板と貼り合わせる前に、該上部電極の該ピンホール部に、YAGレーザーの第4高調波を照射して、該ピンホール周辺の上部電極を、前記絶縁膜に影響を与えることなく、2μm□〜5μm□の面積で除去するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
IPC (3件):
G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件):
G09F 9/00 352 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/78 612 A
引用特許:
審査官引用 (2件)

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