特許
J-GLOBAL ID：200903015041299021

液晶表示装置

発明者：
井上 一樹

井上 一樹 について

, 
小河 育夫

小河 育夫 について


出願人/特許権者：
株式会社アドバンスト・ディスプレイ

株式会社アドバンスト・ディスプレイ について


代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028188
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231341
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 Cs電極と画素ITOとの重なり部分のゲート絶縁膜中に生じた欠陥部を、開口率を犠牲にすることなく修復したTFTアレイ基板、該基板を用いた液晶表示装置および該基板の製法を提供する。【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、TFTアレイ基板、対向基板および液晶材料からなり、前記TFTアレイ基板上にゲートラインと補助容量電極とが設けられ、ゲート絶縁膜が設けられ、前記ゲートラインに交差するソースラインが設けられ、交差部にスイッチング素子が設けられ、少なくとも前記補助容量電極を覆って画素電極が設けられ、ドレイン電極が設けられ、該画素電極、該ドレイン電極、前記スイッチング素子および前記ソースラインを覆って絶縁膜が設けられてなる液晶表示装置であって、前記画素電極と補助容量電極との重なり部分のゲート絶縁膜中に生じた短絡が選択的に解消されてなる液晶表示装置。
請求項（抜粋）：
TFTアレイ基板、該TFTアレイ基板に対向して配置される対向基板、およびTFTアレイ基板と対向基板とのあいだに介装される液晶材料とからなり、前記TFTアレイ基板上にゲートラインと該ゲートラインに平行な補助容量電極とが設けられ、該ゲートライン、補助容量電極および前記TFTアレイ基板を覆ってゲート絶縁膜が設けられ、該ゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインに交差するソースラインが設けられ、前記ゲートラインと該ソースラインとの交差部にスイッチング素子が設けられ、前記ゲート絶縁膜を介して少なくとも前記補助容量電極を覆って画素電極が設けられ、該画素電極と前記スイッチング素子とを接続するドレイン電極が設けられ、該画素電極、該ドレイン電極、前記スイッチング素子および前記ソースラインを覆って絶縁膜が設けられてなる液晶表示装置であって、前記画素電極と補助容量電極との重なり部分のゲート絶縁膜中に生じた短絡が選択的に解消されてなる液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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