タングステン又はタングステン含有薄膜を形成する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067518
公開番号（公開出願番号）：特開2004-270035
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】タングステンスパッタ薄膜の抵抗率をさらに低下させる方法を提供すること。【解決手段】タングステンターゲットから半導体ウエハの上にタングステン又はタングステン含有薄膜をスパッタリングする方法において、クリプトン又はキセノンをスパッタガスとして使用するように構成する。また、タングステン/窒化タングステンの堆積物をウエハ上に形成する方法において、ウエハの上に窒化タングステンの薄膜をスパッタリングしかつその窒化タングステンの薄膜の上にタングステンの薄膜をスパッタリングし、その際、これらの2種類のスパッタリングプロセスを単一のターゲットを使用して単一のチャンバ内で実施するように構成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

タングステンターゲットから半導体ウエハの上にタングステン又はタングステン含有薄膜をスパッタリングする方法であって、クリプトン又はキセノンをスパッタガスとして使用することを含む方法。

IPC (4件)：

C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285

FI (4件)：

C23C14/14 D , C23C14/34 R , H01L21/28 301R , H01L21/285 S

Fターム (18件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029EA03 , 4K029EA09 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104DD37 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104FF13 , 4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (6件)

電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-253259 出願人：株式会社東芝
特許第2613646号
重ガススパッタリングによるイオン化金属プラズマ技術
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334867 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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