特許
J-GLOBAL ID：201103045471843650

電流拡散層を有するLED

発明者：
サバシル マティアス

サバシル マティアス について

, 
ペーター マティアス

ペーター マティアス について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-535206
公開番号（公開出願番号）：特表2011-505070
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
放射を放出する活性層(7)と、n型コンタクト(10)と、p型コンタクト(9)と、電流拡散層(4)と、を有するLED、を提供する。電流拡散層(4)は、活性層(7)とn型コンタクト(10)との間に配置されている。さらには、電流拡散層(4)は、積層体の複数個の繰り返しを備えており、積層体は、少なくとも1つのn型ドープ層(44)と、アンドープ層(42)と、AlxGa1-xN(0<x<1)から成る層(43)と、を備えている。AlxGa1-xNから成る層(43)は、Al含有量の濃度勾配を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
放射を放出する活性層(7)と、n型コンタクト(10)と、p型コンタクト(9)と、電流拡散層(4)と、を有するLEDであって、 - 前記電流拡散層(4)が前記活性層(7)と前記n型コンタクト(10)との間に配置されており、 - 前記電流拡散層(4)が積層体の複数の繰り返しを有し、 - 前記積層体が、少なくとも1つのn型ドープ層(44)と、アンドープ層(42)と、AlxGa1-xN(0<x<1)から成る層(43)と、を有し、 - AlxGa1-xNから成る前記層(43)がAl含有量の濃度勾配を有する、 LED。
IPC (2件)：
H01L 33/14 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 150 ,  H01L33/00 186
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA60 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB13 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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