特許
J-GLOBAL ID：200903091691123139

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
青柳 秀和

青柳 秀和 について

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大塚 康二

大塚 康二 について

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佐藤 雅裕

佐藤 雅裕 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-280004
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183930
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 発光ダイオードの光取り出し効率を高めることが困難であった。【解決手段】発光ダイオードはシリコン支持基板(1)の上にバッファ層(2)を介して配置されたp型窒化物半導体層(3)、活性層(4)、n型窒化物半導体層(5)及び電流拡散層(6)を有する。電流分散層(6)は2次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第1及び第2の層(9)、(10)の積層体からなる。2次元電子ガス効果を有する電流分散層(6)の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。電流分散層(6)は第1の電極(7)をオーミックコンタクトさせる領域としても機能する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する第1の化合物半導体層と、 前記第1の化合物半導体層の上に配置された化合物半導体から成る活性層と、 前記活性層の上に配置され且つ光透過性を有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の化合物半導体層と、 前記第2の化合物半導体層上に配置され且つ光透過性を有しており、且つ第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とが交互に複数回繰り返して配置された積層体から成る電流分散層と、 前記活性層から放射された光を前記電流分散層の表面側から取り出すことを許す状態に前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極と、 前記第1の化合物半導体層に対して電気的に接続された第2の電極と を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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