半導体発光素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015503
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216430
特許番号：特許第3472714号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化合物半導体基板上に形成された少なくとも下部クラッド層,活性層および上部クラッド層からなる発光部と、上記発光部の上部クラッド層上に成長させた層とを有する半導体発光素子の製造方法において、上記発光部の上部クラッド層上の結晶の組成が変化する結晶界面において、前後の層間が格子整合率Δa/aの絶対値が0.25%以上の格子不整合の状態であり、上記格子不整合のある結晶界面から層を成長させるときのみ、成長開始時の成長速度を1.0μm/h以下とし、上記格子不整合のある結晶界面から層の成長開始時以外の成長速度を1μm/hより大きくすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：