特許
J-GLOBAL ID：201103045578298433
マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375025
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107664
特許番号：特許第4592240号
出願日： 2001年09月29日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 設計パターンからウェハ上で所望形状が得られるようにマスクパターンを生成するマスクパターン作成方法であって、
前記マスクパターンの作成開始前で前記設計パターンの設計時に、前記設計パターンの作成に用いられているスタンダード・セルのレイアウトパターンに対して基準点を設定し、設定された基準点を中心とする該セル内の領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、
予め決められた補正パラメータを用いてシミュレーションによりエッジ座標群に関する補正値を算出するステップと、
前記設計パターンの設計が終了する前に、前記エッジ座標群とそれに対応する補正値とが登録された補正値ライブラリを作成するステップと、
前記マスクパターンの作成開始後に、前記設計パターンに基準点を設定し、設定された基準点を中心とする領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、
求められたエッジ座標群について、前記補正値ライブラリを参照するステップと、
求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されていない場合、予め決められた補正パラメータに基づいたシミュレーションにより、前記エッジ座標群に対する補正値を算出するステップと、
求められた補正値とそれに対応するエッジ座標群とを前記補正値ライブラリに追加登録するステップと、
求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されている場合、該補正値ライブラリに収められた補正値を読み出すステップと、
算出された補正値、または読み出された値のいずれかに従って設計パターンを補正して、マスクパターンを生成するステップと、
を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。
IPC (5件)：
G03F 1/08 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, G06F 17/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/82 ( 200 6.01)
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, G06F 17/50 658 M
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/82 D
