特許

J-GLOBAL ID：201103046143747267

不揮発性のラッチ回路及び論理回路並びにそれを用いた半導体装置

発明者： 加藤 清 ,  小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-255517
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129896
出願日： 2010年11月16日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続されたインバータを有している。上記トランジスタを用いて、ラッチ部に保持されているデータをインバータのゲート容量あるいは別に用意した容量に書き込むことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ラッチ部と、前記ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、 前記データ保持部は、 トランジスタと、インバータとを有し、 前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、 前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、出力信号が与えられる配線に電気的に接続され、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は、前記インバータの入力に電気的に接続され、前記インバータの出力は、入力信号が与えられる配線に電気的に接続されている ことを特徴とする不揮発性のラッチ回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L27/04 F ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B

Fターム (95件)：

5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 状態保持回路を具備する集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267432   出願人：株式会社日立製作所
• アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-001336   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2008058385   出願人：出光興産株式会社