特許
J-GLOBAL ID：201003060241980528

半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法

発明者：
矢野 公規

矢野 公規 について

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井上 一吉

井上 一吉 について

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宇都野 太

宇都野 太 について

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笠見 雅司

笠見 雅司 について

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本田 克典

本田 克典 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008058385
公開番号（公開出願番号）：WO2008-136505
出願日： 2008年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。 所定の材料からなり、活性層41となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極51、ドレイン電極53及び画素電極55の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ2の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体(ソース電極51、ソース配線52、ドレイン電極53、ドレイン配線54及び画素電極55)を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層41とする工程とを有する方法としてある。
請求項（抜粋）：
所定の材料からなる半導体を備えた半導体デバイスであって、 前記所定の材料と同じ組成の材料からなる導電体を備えたことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/20 ,  G09F 9/30
FI (11件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 P ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 338
Fターム (99件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB07 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08 ,  5F152AA06 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF01 ,  5F152FF11 ,  5F152FF20 ,  5F152FG08
引用特許：
出願人引用 (14件)
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