特許
J-GLOBAL ID:201103046297241323

固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-072309
公開番号(公開出願番号):特開2011-205512
出願日: 2010年03月26日
公開日(公表日): 2011年10月13日
要約:
【課題】面内の大きな特性の揺らぎ(面内分布)の差異や、寄生容量の大きさに依存したオフセット成分を効果的に除去することを可能にする。【解決手段】全画素一括露光のために、信号電荷をFD部42に保持した状態で信号読み出しを実行する構成を採る列並列ADC搭載のCMOSイメージセンサにおいて、i番目の画素行の画素の信号を読み出す際、直前に読み出された(i-1)番目の画素行を選択し、FD部42をリセット電位VrにリセットしてリセットレベルVrst_i-1を読み出し、当該リセットレベルVrst_i-1をAD変換回路23の基準電圧Vzrとして設定する。【選択図】図15
請求項(抜粋):
光電変換部、電荷電圧変換部、当該電荷電圧変換部を所定電位に設定するリセットトランジスタ、及び、前記電荷電圧変換部で変換された信号を読み出す増幅トランジスタを有する単位画素が2次元配列されてなる画素アレイ部と、 基準電圧を用いて前記単位画素から出力される信号を処理する信号処理部と、 第1の単位画素から前記電荷電圧変換部に蓄積あるいは保持された信号電荷に基づく信号レベルを読み出す前に、既に信号レベルが読み出された第2の単位画素から得られるリセットレベルを、前記信号処理部の前記基準電圧として設定する設定部と を備えた固体撮像装置。
IPC (1件):
H04N 5/335
FI (2件):
H04N5/335 P ,  H04N5/335 E
Fターム (9件):
5C024CX03 ,  5C024CX04 ,  5C024CX27 ,  5C024CY16 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX23 ,  5C024HX24 ,  5C024JX41
引用特許:
審査官引用 (6件)
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