特許
J-GLOBAL ID：201103046884959059

弾性波デバイス

発明者：
谷口 眞司

谷口 眞司 について

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横山 剛

横山 剛 について

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西原 時弘

西原 時弘 について

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上田 政則

上田 政則 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-039403
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176644
出願日： 2010年02月24日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】共振特性の劣化を抑制すること。【解決手段】基板10と、前記基板上に設けられた圧電薄膜14と、前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極12および上部電極16と、前記圧電薄膜を挟み前記下部電極および上部電極が対向する共振領域50と、前記共振領域に複数の島パターンを備える第1質量負荷膜28と、前記共振領域に前記複数の島パターンに対応する位置にそれぞれ設けられた複数の開口パターンを備える第2質量負荷膜29と、を具備する弾性波デバイス。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられた圧電薄膜と、 前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極および上部電極と、 前記圧電薄膜を挟み前記下部電極および上部電極が対向する共振領域と、 前記共振領域に複数の島パターンを備える第1質量負荷膜と、 前記共振領域に前記複数の島パターンに対応する位置にそれぞれ設けられた複数の開口パターンを備える第2質量負荷膜と、 を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
IPC (5件)：
H03H 9/17 ,  H03H 9/54 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18
FI (7件)：
H03H9/17 F ,  H03H9/54 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 J
Fターム (11件)：
5J108AA02 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF03 ,  5J108FF05 ,  5J108HH03 ,  5J108HH04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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