半導体圧力センサ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000959
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199725
特許番号：特許第4199867号
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部と前記ダイアフラム部の周囲を支持し且つ前記抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極が形成されたダイアフラム支持部とが一体に形成されてなる半導体圧力センサ素子と、前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔を備え且つ上面に前記半導体圧力センサ素子の前記ダイアフラム支持部が前記流体導入孔を囲むようにして固定される素子固定用壁部及び前記半導体圧力センサ素子の周囲を囲む周壁部を備えたセラミック製のセンサケースと、前記センサケースに設けられ前記複数の接続用電極にワイヤボンディングにより接続される複数のケース側接続用電極と、前記センサケースに設けられ前記ケース側接続用電極部と電気的に接続された複数の外部接続用電極とを具備し、前記素子固定用壁部の下面には、前記流体導入孔と連通する流体導入路を内部に備えた金属製の流体導入用筒体が半田付け接続される環状の半田付けランドが形成されており、前記半田付けランドが前記複数の外部接続用電極の中のアース電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ( 200 6.01) , H01L 29/84 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01L 9/00 303 M , H01L 29/84 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

圧力検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-345059 出願人：日本精機株式会社
特開昭62-226031
特開昭57-073980

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