特許
J-GLOBAL ID：201103047568328116
誤り訂正回路を備えた半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343316
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151297
特許番号：特許第3944380号
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主データを格納するメインメモリと、
上記主データに応じて生成された誤り訂正用副データを格納するサブメモリと、
上記メインメモリに格納された主データを読み出し増幅するためのセンスアンプと、
上記センスアンプから供給される主データとセンスアンプを介さずに上記サブメモリから読み出された副データにと基づいて上記主データに生じる誤りを訂正するための訂正データを生成するデコーダ回路と、
上記訂正データに応じて上記メインメモリから読み出された主データに含まれる誤りを訂正して出力するデータ訂正回路と、
を有し、
上記サブメモリが上記メインメモリと上記デコーダ回路及び上記データ訂正回路との間に配置されており、
上記メインメモリから主データを読み出して出力する際に、当該主データに含まれる誤りが上記データ訂正回路で訂正される
誤り訂正回路を備えた半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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特開平1-208799
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特開平4-167300
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特開昭61-117788
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審査官引用 (6件)
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