炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041426
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226198
特許番号：特許第4238449号
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】容器(1)内に、炭化珪素原料(2)と種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素原料を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造過程において、前記容器外部に備えたX線発生源(6)にてX線(8)を前記炭化珪素原料に照射し、前記容器外部に備えたX線検出器(7)により前記容器および前記炭化珪素原料を透過したX線を検出し、そのX線の透過量から前記炭化珪素原料の減少量をモニターし、該減少量が一定となるように前記容器内の温度を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：