特許
J-GLOBAL ID：201103047871669422

単結晶成長装置

発明者：
国原 健二

国原 健二 について

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広瀬 隆之

広瀬 隆之 について

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大登 正敬

大登 正敬 について

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米澤 喜幸

米澤 喜幸 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-283531
公開番号（公開出願番号）：特開2011-126719
出願日： 2009年12月15日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】 光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。【解決手段】 箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
結晶性物質の原料融液を保持する耐熱材料からなるルツボ本体と、前記ルツボ本体の周囲に配置された側面ヒーターとを有し、前記ルツボ本体の温度分布を変化させながら単結晶を成長させる結晶の成長装置において、 前記原料融液が接する前記ルツボ本体の内面に、白金箔からなるルツボ内面被覆部材を有していることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (1件)：
C30B 11/00
FI (1件)：
C30B11/00 C
Fターム (10件)：
2K002CA03 ,  2K002FA27 ,  4G077AA02 ,  4G077BC32 ,  4G077CD02 ,  4G077EG02 ,  4G077HA01 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02 ,  4G077MB04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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