特許
J-GLOBAL ID：201103048257195208
面発光型半導体レーザとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024277
特許番号：特許第3837969号
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に設けられた第1電極と、
該半導体基板の第1電極とは反対側の面に設けられた第1多層反射膜と、
活性層を挟んで該第1多層反射膜に対向するように設けられた第2多層反射膜と、
レーザ発振される光に対して光学的に透明で且つ第1電極と共に活性層に電流を注入するための第2電極と、
前記第2電極と前記第2多層反射膜との間で且つ光出射領域に対応する部分に設けられ、レーザ発振される光に対して光学的に透明なコンタクト層と、
前記第2電極と前記第2多層反射膜との間に設けられ、前記コンタクト層が形成された部分を介して活性層への電流注入を可能とし、該コンタクト層が形成されていない部分を介して活性層への電流注入を不能とするキャップ層と、
を備え、
前記第2電極の光学的厚さと前記コンタクト層の光学的厚さとを調整することにより、前記コンタクト層が形成された部分の周辺部分の反射率を、前記コンタクト層が形成された部分の反射率よりも低下させた面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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