特許
J-GLOBAL ID：201103049021425420

張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法

発明者：
小松 圭

小松 圭 について

, 
奥田 仁

奥田 仁 について

, 
冨澤 憲治

冨澤 憲治 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250805
特許番号：特許第3646921号
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性層用ウェーハの表面に誘電体分離酸化膜を介して高温ポリシリコン層を成長させる工程と、 上記高温ポリシリコン層を成長させた活性層用ウェーハの裏面に回り込んだ高温ポリシリコンおよびこの高温ポリシリコンが突起状に堆積した裏面突起を除去するエッチング工程と、 上記高温ポリシリコン層を研削してから平坦化する工程と、 この平坦化した高温ポリシリコン層の表面に低温ポリシリコン層を成長させる工程と、 上記低温ポリシリコン層の表面を張り合わせ面として、上記活性層用ウェーハを支持基板用ウェーハの表面に張り合わせることにより、張り合わせウェーハを形成する工程と、 上記張り合わせウェーハの外周部を面取りする工程と、 この後、上記活性層用ウェーハを裏面側から研削・研磨して、誘電体分離酸化膜で分離された複数の誘電体分離シリコンを現出させる工程とを含む張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、 上記エッチング工程は、アルカリエッチング液を用いた第1のアルカリエッチングにより行う張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/12 ,  C23C 16/24 ,  C23F 1/40
FI (5件)：
H01L 21/306 B ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 27/12 B ,  C23C 16/24 ,  C23F 1/40
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM