多層デュアル・ポリシリコン構造を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120437
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315689
特許番号：特許第4038530号
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上面を有する第1の絶縁層がその上に配置されている基板を含んでいる多層半導体構造を形成する方法であって、該方法は、 (a) 前記第1の絶縁層の中に深さの異なる第1のトレンチおよび第2のトレンチを形成するステップと、 (b) 前記第1および第2のトレンチの中に第2の絶縁層を形成するステップと、 (c) 前記第1および第2のトレンチがポリシリコン材料によって実質的に埋められるように、前記第1および第2のトレンチの中にポリシリコン材料を形成するステップと、 (d) 前記第1および第2のトレンチから前記ポリシリコン材料の一部分を取り除き、前記第1の絶縁層の上面が、前記第1および第2のトレンチのそれぞれの中に残っているポリシリコンの材料の上面と同一平面上にないようにするステップと、 (e) 前記第1および第2のトレンチの中にイオン注入バリヤを形成するステップと、 (f) 前記第1および第2のトレンチの中のイオン注入バリヤを処理し、その上面が前記第1の絶縁層の上面と実質的に同一平面上にあるようにするステップとを含む方法。

IPC (13件)：

H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/8244 ( 200 6.01) , H01L 27/11 ( 200 6.01) , H01L 21/8242 ( 200 6.01) , H01L 27/108 ( 200 6.01) , H01L 29/423 ( 200 6.01) , H01L 29/49 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 21/88 P , H01L 21/28 301 A , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 615 , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/58 G , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭64-048461
特開平2-014532
特開平3-184368

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