半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-185453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074369
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】同一基板上に異なる材料/厚さのゲート酸化膜/ゲート電極が形成された半導体装置およびこの半導体装置の製造方法。【解決手段】半導体基板の第1および第2の素子領域(3a、3b)に第1絶縁膜(203)と第1ポリシリコン膜(204)を形成する。第2の素子領域の第1絶縁膜および第1ポリシリコン膜が除去され、この除去された領域に第2絶縁膜(211)を介して第2ポリシリコン膜(212)を形成する。第1の素子領域では第1ポリシリコン膜によって第1のゲート電極が構成され、第2の素子領域では第2ポリシリコン膜によって第2のゲート電極が構成される。素子分離上のシリコン窒化膜を除去し、この除去された領域に第1のゲート電極と第2のゲート電極とを接続する金属膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上のゲート電極が形成される複数の領域に第1の膜と第2の膜とを形成するステップと、前記複数の領域の内の少なくとも1つの領域から前記第1の膜と第2の膜とを取り除くステップと、前記第1の膜と第2の膜とが取り除かれた前記少なくとも1つの領域に第1の絶縁膜と第1のゲート電極とを形成するステップと、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 681 F

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-184368
特開平4-123439
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013067 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

審査官引用 (15件)

特開平3-184368
特開平3-184368
特開平3-184368

全件表示

前のページに戻る