特許
J-GLOBAL ID：201103049142932981
フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373343
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188337
特許番号：特許第3912949号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上に遮光膜及び第1のレジストを順次積層する工程と、
前記第1のレジストをパターニングし、このパターニングされた前記第1のレジストをマスクに前記遮光膜をエッチングし、エッチング後前記パターニングされた第1のレジストを除去して、前記遮光膜からなる1つの遮光パターンもしくは複数の遮光パターンが近接して配置された第1の領域と、前記遮光パターンとは隔離して配置された前記遮光膜からなるダミーパターンから構成された第2の領域とを主面に有する透明基板を形成する工程と、
前記透明基板主面上に前記遮光膜を被覆するように第2のレジストを形成する工程と、
前記第2の領域のダミーパターンを前記第2のレジストをマスクにして、エッチング除去する工程と、
前記第1の領域を被覆している前記第2のレジストを除去する工程とを備え、
前記第2の領域は、前記遮光膜がない領域を有しており、前記遮光膜の前記第2の領域における被覆率を、複数の配線工程用のフォトマスクのうち前記第1の領域のパターン被覆率が最も大きいフォトマスクの被覆率とほぼ等しくなるように設定する、ないしは複数の配線工程用のフォトマスクの前記第1と前記第2の領域からなるパターン被覆率がほぼ等しくなるように設定することを特徴とするフォトマスクの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ( 200 6.01)
, G03F 7/26 ( 200 6.01)
G03F 1/08 A
, G03F 7/26 511
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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