特許
J-GLOBAL ID：201103049238677745
半導体記憶装置
出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社
松下電器産業株式会社 について
代理人 (2件)： 前田 弘 , 小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213976
公開番号（公開出願番号）：特開2001-043680
特許番号：特許第4170528号
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリセルと、
前記メモリセルに接続され、電源電圧の1/2の電圧にプリチャージされるビット線対と、
前記ビット線対に現れる微小電位差を増幅するセンスアンプと、
前記ビット線対に対応するデータ線対と、
コラム選択信号を入力し、前記ビット線対のデータを前記データ線対に読み出す読み出し回路とを備えた半導体記憶装置において、
前記読み出し回路は、
前記コラム選択信号が前記センスアンプの増幅動作の前に活性化された時、このコラム選択信号のみによっては動作せず、前記センスアンプの増幅動作による前記ビット線対の電位差の増大に応じて、初めて前記ビット線対のデータを前記データ線対に読み出し、
更に、前記読み出し回路は、
前記ビット線対の一方のビット線と前記データ線対の一方のデータ線とを接続する第1のスイッチ手段と、
前記ビット線対の他方のビット線と前記データ線対の他方のデータ線とを接続する第2のスイッチ手段と、
前記センスアンプの増幅動作により前記一方のビット線の電圧が電源電圧まで増幅される場合、前記コラム選択信号として、前記一方のビット線の増幅された電圧より閾値電圧だけ低い電圧を前記第2のスイッチ手段の制御端子に伝達する第3のスイッチ手段と、
前記センスアンプの増幅動作により前記他方のビット線の電圧が電源電圧まで増幅される場合、前記コラム選択信号として、前記他方のビット線の増幅された電圧より閾値電圧だけ低い電圧を前記第1のスイッチ手段の制御端子に伝達する第4のスイッチ手段とを備える
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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