半導体メモリ装置とそのカラムデコーダ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235317
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106670
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】データ書込時間の短縮を可能とし、ページモードサイクルの短縮を図る。【解決手段】通常のカラムデコーダ回路はビットラインセンスアンプの動作後に活性化されるエネーブル信号に従い動作するので、カラム選択ラインCSLは書込でも読出でも常にビットラインの感知動作後にエネーブルされるタイミングとなり、特にページモードサイクルにおける一番目のサイクル時間を長期化させる原因となっている。本発明では、書込時には書込エネーブル信号バーWEに基づく書込制御信号φWRに従って動作させることにより、ローアドレス入力後のビットラインセンスアンプ動作前に動作して書込用のカラム選択を行えるカラムデコーダ回路を提供する。

請求項（抜粋）：

ローアドレス入力後にカラムアドレスを入力してメモリセルをアクセスする半導体メモリ装置のカラムデコーダ回路において、ローアドレス入力後のビットラインセンスアンプ動作前に動作して書込用のカラム選択を行えるようになっていることを特徴とするカラムデコーダ回路。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 11/408

FI (2件)：

G11C 11/34 362 D , G11C 11/34 354 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338031 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開平2-226581

審査官引用 (6件)

特開平2-226581
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338031 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開平4-322000

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