特許
J-GLOBAL ID：201103049495780840
多層プリント配線板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人 安富国際特許事務所
, 安富 康男
, 古谷 信也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076618
特許番号：特許第4508380号
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下層導体回路が形成された基板上に、層間樹脂絶縁層と上層導体回路とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
前記上層導体回路を形成する工程は、少なくとも
(A)下層導体回路上または上層導体回路上に、樹脂層と金属層とからなる樹脂・金属層を形成する工程、
(B)前記樹脂・金属層を構成する樹脂層および金属層に、順次、開口形成処理を施し、該開口形成処理によりバイアホール用開口を形成し、更にPd触媒を付与する工程、
(C)前記樹脂・金属層に、0.025〜0.1mol/lのアルカリ性化合物、および、0.1〜0.3mol/lの還元剤を含む水溶液からなる無電解めっき用前処理液を用いた前処理を施す工程、
(D)前記前処理の施された樹脂・金属層の表面に、無電解めっき膜を形成する工程、
(E)前記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
(F)前記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
(G)前記めっきレジストを剥離した後、前記めっきレジスト下の無電解めっき膜と金属層とを除去する工程、を含み、
前記(B)の工程において、バイアホール用開口の直径は80μm以下であり、
前記(C)の工程において、前処理の温度は、20〜50°Cであって、前処理時間は、0.5〜5分であり、
前記(D)の工程で用いる無電解めっき液は、アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、および、酒石酸もしくはその塩を含む水溶液からなり、さらに、ニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含み、
前記アルカリ性化合物の濃度は、0.025〜0.25mol/lであり、
前記還元剤の濃度は、0.03〜0.15mol/lであり、
前記銅イオンの濃度は、0.02〜0.06mol/lであり、
前記酒石酸もしくはその塩の濃度は、0.05〜0.3mol/lである
ことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
IPC (6件)：
H05K 3/46 ( 200 6.01)
, C23C 18/30 ( 200 6.01)
, C23C 18/40 ( 200 6.01)
, C25D 5/02 ( 200 6.01)
, C25D 7/00 ( 200 6.01)
, H05K 3/42 ( 200 6.01)
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 N
, C23C 18/30
, C23C 18/40
, C25D 5/02 B
, C25D 7/00 J
, H05K 3/42 610 A
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
