特許

J-GLOBAL ID：201103049551514628

半導体装置の製造方法とその製造装置

発明者： 鈴木 孝明 ,  生田目 俊秀 ,  門島 勝 ,  村田 康彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197839
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017684
特許番号：特許第4416354号
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造法において、有機金属ガスと酸化性ガスとによって酸化物層を形成する工程と、該酸化物層を還元雰囲気中400°C〜500°Cの温度で熱処理する工程とを繰り返して前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜・改質集合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130258   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064168   出願人：株式会社東芝