半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213749
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033333
特許番号：特許第4352296号
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート電極を備えた半導体装置の製造方法であって、透明板にシフタエッジを有する位相シフタを形成し、前記透明板のうち露光エリアの全体に、一定ピッチ毎にシフタエッジのみを配列させたフォトマスクを用い、基板の上に塗布された第1の感光膜をパターニングする工程と、前記第1の感光膜に形成された開口パターンのうち所定の開口パターンにのみゲート電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01) , G03F 1/08 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 27/095 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/30 515 F , G03F 1/08 A , H01L 21/28 D , H01L 29/80 E

引用特許：

出願人引用 (5件)

T型ゲート構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107780 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-274365 出願人：日本電気株式会社
特開平4-301637

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審査官引用 (1件)

T型ゲート構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107780 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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