特許
J-GLOBAL ID：201103049859184530
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180382
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358254
特許番号：特許第3621869号
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部の実装面側に樹脂封止部と一体に複数の樹脂バンプ部が形成され、該樹脂バンプ部の外表面が金属膜により被覆されるとともに、該金属膜の内面と半導体素子の電極端子とがワイヤボンディングされてなる半導体装置において、前記樹脂バンプ部の基部を被覆する前記金属膜の周縁部が、前記樹脂バンプ部の基部位置から樹脂バンプ部の内側に突出する係止部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 501 T
, H01L 23/50 R
