不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにそれを含むメモリ・モジュール及びシステム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-114566
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249803
出願日： 2011年05月23日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにそれを含むメモリ・モジュール及びシステムを提供する。【解決手段】ストライエーション現象が改善された不揮発性メモリ素子であり、基板、基板から突設されるチャネル層、チャネル層を取り囲むゲート導電層、チャネル層とゲート導電層との間に位置するゲート絶縁層、及びチャネル層と離隔されつつゲート導電層の上下に位置する第1絶縁層を含み、ゲート絶縁層は、ゲート導電層と第1絶縁層との間に延びることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成された複数層の犠牲絶縁層及び複数層の第1絶縁層の積層構造を貫通するチャネルホールを形成する段階と、前記チャネルホールの側壁に犠牲スペーサを形成する段階と、前記犠牲スペーサと接触するチャネル層を形成する段階と、前記チャネル層の側壁が露出されるように、前記犠牲絶縁層及び前記犠牲スペーサをエッチングする段階と、前記チャネル層の側壁上に、ゲート導電層を形成する段階と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (32件)：

5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA22 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA02 , 5F083LA11 , 5F083LA21 , 5F083NA01 , 5F083PR40 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BE05 , 5F101BE06

引用特許：

審査官引用 (2件)

垂直型半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-286950 出願人：三星電子株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-284375 出願人：株式会社東芝

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