特許
J-GLOBAL ID：200903045231581994

垂直型半導体素子及びその製造方法

発明者：
孫 龍 勳

孫 龍 勳 について

, 
李 鍾 ▲いく▼

李 鍾 ▲いく▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-286950
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117843
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】垂直型半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子及びその製造方法において、半導体素子は単結晶半導体物質からなり、水平方向に延長される基板100と前記基板上に複数の層間絶縁膜105a〜105eを含む。複数のゲートパターン132〜132dは隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々提供される。単結晶半導体物質の垂直チャンネル116は前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される。そして、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板と、 前記基板上の複数の層間絶縁膜と、 隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンと、 前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通し垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルとを含み、 前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備されることを特徴とする半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (9件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 495 ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 652Z ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 652K
Fターム (29件)：
5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA03 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BD16 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BH11 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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