特許
J-GLOBAL ID:201103050341656894
Co-Ni-Ga系ホイスラー型磁性形状記憶合金およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西 義之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-290285
公開番号(公開出願番号):特開2003-096529
特許番号:特許第3872323号
出願日: 2001年09月21日
公開日(公表日): 2003年04月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 溶湯を電磁浮遊溶解急冷凝固させることにより製造された40〜300ミクロンの厚さの薄帯または直径30〜200ミクロンの細線であり、急冷凝固させたままでホイスラー型規則格子が形成され、急冷凝固させたままで平均結晶粒径が10μm以下の柱状結晶粒の集合体からなる金属組織を有し 原子組成比がCo2Ni1+xGa1-x(x=-0.2〜+0.2)で示され、熱処理なしで強磁性を示し、磁場によりマルテンサイト双晶相変態が誘起され、前記双晶相変態に伴う磁歪が、その材料での飽和磁場強さまでで100με(ストレイン)以上であることを特徴とするCo-Ni-Ga系ホイスラー型磁性形状記憶合金。
IPC (4件):
C22C 19/07 ( 200 6.01)
, B22D 11/06 ( 200 6.01)
, H05B 6/32 ( 200 6.01)
, H05B 6/44 ( 200 6.01)
FI (4件):
C22C 19/07 C
, B22D 11/06 360 B
, H05B 6/32
, H05B 6/44
引用特許: