半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271258
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093904
特許番号：特許第3612249号
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にAlを主成分とする第1金属膜を形成する工程と、前記金属膜上にAlと共晶を形成する金属を主成分とする第2金属膜を形成する工程と、熱処理を行って、前記第2金属膜中の前記金属を前記第1金属膜中に拡散させ、かつ前記第1金属膜中に前記金属とAlとの共晶状態を形成する工程と、前記熱処理を終了し、前記第1金属膜の温度を下げて、前記第1金属膜の粒界全体に前記金属を含む拡散障壁層を形成する工程と、前記第1金属膜を加工して配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：