特許
J-GLOBAL ID：201103050610052518
パワーブロック及びそれを用いたパワー半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-097902
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228528
出願日： 2010年04月21日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】鉛フリーハンダとトランスファーモールド樹脂を用いた場合であっても、それらを用いないものとの間で互換性を確保したパワーブロック及びそれを用いたパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワーブロックは、絶縁基板22と、該絶縁基板の上に形成された導体パターン24、26、28と、鉛フリーはんだ32により該導体パターンの上に固着されたパワー半導体チップ36と、該パワー半導体チップと電気的に接続され、該絶縁基板の上方向に伸びる複数の電極16、18と、該導体パターン、該鉛フリーはんだ、該パワー半導体チップ、及び該複数の電極を覆うように形成されたトランスファーモールド樹脂12と、を備える。そして、該複数の電極は、該トランスファーモールド樹脂の外面のうち導体パターンの直上方向の外面と同一平面上に露出したことを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成された導体パターンと、
鉛フリーはんだにより前記導体パターンの上に固着されたパワー半導体チップと、
前記パワー半導体チップと電気的に接続され、前記絶縁基板の上方向に伸びる複数の電極と、
前記導体パターン、前記鉛フリーはんだ、前記パワー半導体チップ、及び前記複数の電極を覆うように形成されたトランスファーモールド樹脂と、を備え、
前記複数の電極は、前記トランスファーモールド樹脂の外面のうち前記導体パターンの直上方向の外面と同一平面上に露出したことを特徴とするパワーブロック。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/56
H01L25/04 C
, H01L21/56 H
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB12
, 5F061FA02
