特許
J-GLOBAL ID：200903013756195590
樹脂封止型パワー半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000018
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184315
出願日： 2006年01月04日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】エポキシ樹脂封止型IGBTモジュールにおいて、小型・高出力、高信頼・高寿命を実現する。【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、Siチップを接着したセラミックス基板を銅ベースへはんだ接着し、セラミックス基板近傍周囲の銅ベース表面に2列以上の溝を形成し、かつ、封止される領域全体に、厚さ10μm以下のポリアミド樹脂を均一に塗布し、エポキシ樹脂をトランスファモールドする。さらに、端子を全てメスコネクタ型とし、封止領域上面のみに露出させ、銅ベース上面内側のみを封止領域とし、取り付けを封止領域外側の銅ベースに複数設けた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、電流をスイッチングするパワー半導体素子、該パワー半導体素子が接着され電気的に接続される回路パタン付絶縁基板、該回路パタン付絶縁基板を接着する金属ベース、を有し、前記パワー半導体素子は、アルミ等の金属ワイヤ或いは銅等のリードフレームにより、前記回路パタン付絶縁基板の回路パタン或いは前記回路パタン付絶縁基板外に配置された端子に電気的に接続されるパワー半導体モジュールにおいて、
前記回路パタン付絶縁基板周囲近傍の前記金属ベース表面に、2列以上の溝、或いは1本以上の突起を配置し、前記回路パタン付絶縁基板は、前記溝或いは突起とともに硬質樹脂で封止され、該封止領域は前記金属ベースの最外周を直線的に結んだ領域の内側であり、前記封止領域外側の露出した金属ベースには、金属ベースの取り付け穴が存在することを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-093802
出願人：株式会社日立製作所
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-228272
出願人：株式会社デンソー
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-429022
出願人：三菱電機株式会社
全件表示
前のページに戻る
