特許

J-GLOBAL ID：201103050788327251

薄膜素子

発明者： 安川 勝正 ,  厚主 成生
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162935
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359287
特許番号：特許第4493235号
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】支持基板上に、Pt、Pd、Al及びAuのうちの少なくとも一種からなる電極、金属元素として少なくともBa、Sr及びTiを含有するペロブスカイト型複合酸化物の誘電体薄膜を順次形成してなる薄膜素子であって、前記支持基板がセラミック基板、単結晶基板、SiO2被覆シリコン基板及びガラス基板のうちのいずれかであり、一部の前記電極の結晶相の(111)面上に、前記誘電体薄膜の結晶相の(111)面が格子整合し、さらに前記誘電体薄膜の面内方向に(110)面が優先配向していることを特徴とする薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01G 4/12 ( 200 6.01) ,  H01G 4/33 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-043427   出願人：三菱電機株式会社
• 誘電体薄膜およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-264562   出願人：京セラ株式会社