特許
J-GLOBAL ID：200903069152198316
誘電体薄膜およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103022
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】高い比誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜およびその製法を提供する。【解決手段】金属元素としてPb、Mg、NbおよびTiを含むペロブスカイト型結晶粒子3からなる膜厚0.3〜2μmの誘電体薄膜2であって、ペロブスカイト型結晶粒子3が、その平均粒径dが膜厚tよりも大きい偏平粒子3からなるものである。ここで、誘電体薄膜2は、測定周波数1kHz(室温)での比誘電率が2500以上、絶縁破壊電圧が60V/μm以上であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
金属元素としてPb、Mg、NbおよびTiを含むペロブスカイト型結晶粒子からなる膜厚0.3〜2μmの誘電体薄膜であって、前記ペロブスカイト型結晶粒子が、その平均粒径dが膜厚tよりも大きい偏平粒子からなることを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (9件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C23C 18/12
, H01B 3/00
, H01B 3/12 302
, H01G 4/10
, H01G 4/12 358
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, C23C 18/12
, H01B 3/00 H
, H01B 3/12 302
, H01G 4/12 358
, H01G 4/10
, H01L 27/10 651
