特許

J-GLOBAL ID：201103050905232275

半導体光素子及びその製造方法

発明者： 安原 望 ,  中村 厚
出願人/特許権者： 日本オプネクスト株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-002598
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142239
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

【課題】1枚のウェハから作製される複数の半導体光素子の特性のばらつきを抑制し、歩留まりが向上する半導体光素子、及び、その製造方法の提供。【解決手段】活性層と、活性層の上方もしくは下方に形成される回折格子層を備える多層構造を含む、半導体光素子において、回折格子層は、前方端面から、光の出射方向に沿って、後方端面より内側に位置する後端に亘って延伸するよう形成される、ことを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

光を出射する活性層と、前記活性層の上方もしくは下方に形成される回折格子層を備える多層構造を含む、半導体光素子の製造方法であって、 前記回折格子層を、前記活性層の上方もしくは下方となる領域のうち、出射方向に延伸する一部の領域に形成する回折格子層形成工程と、 前記多層構造を前記一部の領域の中途部で劈開し、前方端面を形成する前方端面形成工程と、 前記多層構造を、前記一部の領域の一端若しくは他端の少なくとも一方の外方で劈開し、後方端面を形成する後方端面形成工程と、 を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/12

FI (1件)：

H01S5/12

Fターム (13件)：

5F173AA26 ,  5F173AB13 ,  5F173AB15 ,  5F173AF04 ,  5F173AG22 ,  5F173AH30 ,  5F173AL04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP82 ,  5F173AP92 ,  5F173AR93

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206994   出願人：古河電気工業株式会社
• 分布帰還型半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-181181   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭61-216383
  
• 特開昭61-216383