特許

J-GLOBAL ID：201103051033592644

半導体の熱処理方法

発明者： 櫻田 隆
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315260
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135590
特許番号：特許第4577462号
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板に不純物イオンを加速して注入するイオン注入後の活性化アニールにランプアニール(RTA)を用い、アニール後の降温時にウエハ内外温度差Δがスリップ発生臨界温度差Δcに達する前に、ランプパワーを一時的に上げ降温速度を一時的に低下させウエハ内外温度差Δを減らす待機ステップを設けたことを特徴とする半導体の熱処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/265 601 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-225833   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045511   出願人：住友電気工業株式会社