特許
J-GLOBAL ID：201103051259772017

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
辻 隆博

辻 隆博 について

, 
鈴木 邦彦

鈴木 邦彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-209066
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091379
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、BT試験前後における薄膜トランジスタのしきい値電圧の変動幅を2V以下、好ましくは1.5V以下、さらに好ましくは1.0V以下とすることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値の変動に起因する表示むらなどの動作不良を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、 前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、 前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、 前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を有し、BT試験によるしきい値の変動幅が2V以下であるすることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  G09F 9/30
FI (9件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/08 102C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  G09F9/30 338
Fターム (147件)：
2H092GA13 ,  2H092GA14 ,  2H092GA17 ,  2H092GA27 ,  2H092GA29 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB16 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KA20 ,  2H092KA22 ,  2H092KB14 ,  2H092KB15 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092NA01 ,  2H092NA24 ,  2H092QA09 ,  3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  5C094AA03 ,  5C094AA21 ,  5C094AA37 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA03 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BD02 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BG01 ,  5F048BG03 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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