半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村井卓雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008378
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208425
特許番号：特許第4083331号
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応管を内装した加熱炉と、前記反応管内に形成された均熱空間内に位置し、かつ横置きされた半導体シリコンウェーハに、反応ガスを用いて化学気相成長もしくは直接反応による皮膜を形成する反応部とを含んでなる半導体装置の製造装置において、相互の間隔を5〜100mmに設定された2枚以上の半導体シリコンウェーハを1枚づつ担持するウェーハ支持治具と、ウェーハ面に直交する軸を中心として半導体シリコンウェーハを回転させる駆動手段と、前記反応ガスを炉内ガスと遮断して加熱炉内を半導体シリコンウェーハの端縁近傍位置まで案内する第1のガス案内手段と、実質的に全量の反応ガスを第1のガス案内手段から前記端縁近傍位置で半導体シリコンウェーハの間隙に噴出する手段を含んでなり、前記ウェーハ支持治具が、担持部を残して1枚の板を切除したものであり、かつ/又は外側環部、内側環部及びこれらを接続する連結部を含んでなり、前記第1のガス案内手段の各孔部から、該孔部に対面する半導体シリコンウェーハの間隙に向かって噴出される反応ガス流が、上下のウェーハ間隙に分流することを制限する第3のガス案内手段をさらに含んでなることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/22 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/22 511 R , H01L 21/22 511 G , H01L 21/31 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体ウエハーのプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081392 出願人：東京エレクトロン東北株式会社
熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-131234 出願人：新日本製鐵株式会社
減圧気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-331472 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体ウエハーのプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081392 出願人：東京エレクトロン東北株式会社
熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-131234 出願人：新日本製鐵株式会社
減圧気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-331472 出願人：日本電気株式会社

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