特許

J-GLOBAL ID：201103052272726365

p型II-VI族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置

発明者： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332296
特許番号：特許第3492551号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に、第1の濃度までは不純物ドーピングされていないZnO層と、p型不純物であるNが第1の濃度以上にドーピングされたZnTe層とを交互に複数層積層する工程を含むp型II-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝
• ヘテロ超格子pn接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272606   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝
• ヘテロ超格子pn接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272606   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション