特許
J-GLOBAL ID：201103052388798495
半導体圧力測定装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066208
特許番号：特許第3709967号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第lの単結晶シリコン基板と、この第1の単結晶シリコン基板の一面に一面が接し半導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層の他面に一面が接し半導体プロセスにより形成された酸化シリコン膜層と、この酸化シリコン膜層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層とこの酸化シリコン膜層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、前記第lの単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、前記第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは前記第2の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置。
IPC (3件)：
G01L 9/04
, H01L 41/08
, H01L 41/22
G01L 9/04 101
, H01L 41/08 Z
, H01L 41/22 Z
