特許
J-GLOBAL ID：201103052515475404
サファイア基板上への窒化インジウム積層方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391754
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192497
特許番号：特許第3671215号
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化インジウムをサファイア基板上に積層する方法であって、 窒素源としてRFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを用いる分子線エピタキシー成長法により、結晶成長温度を200°C〜600°C、層の厚さを0.5〜100nmとして、サファイア基板上にAlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の第1バッファ層を形成し、該第1バッファ層上に分子線エピタキシー成長法により、結晶成長温度を200°C〜400°C、層の厚さを0.5〜100nmとして、InaAlbGa1-a-bN(0.5≦a≦1,0≦b≦0.5,0≦a+b≦1)で表される窒化インジウム系化合物半導体の第2バッファ層を形成し、該第2バッファ層上に、成長温度を400°C〜600°Cとして窒化インジウム層を成長させるようにしたことを特徴とするサファイア基板上への窒化インジウム積層方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 23/08
, H01L 33/00
C30B 29/38 D
, C30B 23/08 M
, C30B 23/08 Z
, H01L 33/00 C
