気相成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 伊藤仁恭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191321
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019590
特許番号：特許第4232279号
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板が空間を介することなく直に接する基板ホルダと、基板ホルダ上の基板を加熱する加熱ヒータとを内部に有する反応チャンバを備え、基板ホルダ上に載置した基板を加熱しつつ反応チャンバに原料ガスを導入して、気相成長法により基板上に薄膜を結晶成長させる気相成長装置において、反応チャンバを横断する隔板により反応チャンバを上下に区画してなる上部室として形成され、基板ホルダを隔板上に接して収容し、原料ガスを導入して基板上に薄膜を結晶成長させる反応室と、反応室の下に設けられ、基板を加熱する加熱ヒータを配置したヒータ室と、ヒータ室に単一種のガスを導入し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持する圧力調節手段とを備え、前記ヒータ室を前記ガスが所定の圧力に維持され、かつ充満された状態で、前記基板が前記隔板に密着し、前記隔板上に接して収容された前記基板ホルダが、前記基板ホルダに直交する回転軸の回りに前記隔板に摺動して自在に回転することを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

C30B 25/10 ( 200 6.01) , C30B 25/14 ( 200 6.01) , C23C 16/46 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 25/10 , C30B 25/14 , C23C 16/46 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機金属気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-184017 出願人：日本電信電話株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319581 出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

有機金属気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-184017 出願人：日本電信電話株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319581 出願人：古河電気工業株式会社

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