半導体電力変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314734
公開番号（公開出願番号）：特開2001-136732
特許番号：特許第3770008号
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート状態に応答してコレクタとエミッタ間の電流を制御する半導体素子と、前記半導体素子のエミッタを中点電位とする順バイアス電圧と逆バイアス電圧をなす電圧手段と、オン信号の入力或いはオフ信号の入力に基づいて前記半導体素子のゲートに前記順バイアスと逆バイアスの一方を印加する電圧印加手段と、前記半導体素子のコレクタとエミッタ間の電圧を分圧する分圧手段と、前記オフ信号の場合、前記分圧手段の分圧電圧が大きくなるにつれて前記逆バイアス側から前記順バイアス側に大きくなるような前記分圧手段の分圧電圧に基づく電圧を、前記逆バイアス電圧に加え、該加わった電圧が前記ゲートに印加されるようになす手段を有することを特徴とする半導体電力変換装置。

IPC (2件)：