特許

J-GLOBAL ID：201103052736897303

磁気スイッチング素子

発明者： 川野 浩康 ,  庄野 敬二 ,  五味 学 ,  横田 壮司
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  国立大学法人 名古屋工業大学
代理人 (4件)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  鈴木 泰光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-282456
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124462
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。【解決手段】この磁気スイッチング素子100は、磁性酸化物層30と、上記磁性酸化物層30の一方面側に位置する非磁性電極層40と、上記磁性酸化物層30の他方面側に位置する磁性金属層20と、上記非磁性電極層40と上記磁性金属層20との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

磁性酸化物層と、 上記磁性酸化物層の一方面側に位置する非磁性電極層と、 上記磁性酸化物層の他方面側に位置する磁性金属層と、 上記非磁性電極層と上記磁性金属層との間に正逆電圧を印加するための電極と、 を備える、磁気スイッチング素子。

IPC (5件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/31

FI (4件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/31 A

Fターム (21件)：

4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119CC09 ,  5D033AA05 ,  5D033BA08 ,  5D033BA39 ,  5D033BB03 ,  5F092AA03 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AC30 ,  5F092AD13 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04 ,  5F092BD04 ,  5F092BD06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気特性の変調方法および磁気機能装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-186045   出願人：ソニー株式会社
• 電気素子,メモリ装置,および半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-308627   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069861   出願人：松下電器産業株式会社