電気素子,メモリ装置,および半導体集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-308627
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324625
出願日： 2005年10月24日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】製造プロセスを簡単にする。【解決手段】基板4上に下部電極3が形成され、下部電極3上に状態変化材料2が形成され、状態変化材料2上に上部電極1が形成される。電源5は、上部電極1および下部電極3間に所定の電圧を印加する。状態変化材料2は、順方向には電流が流れやすいが逆方向には電流が流れにくい特性(ダイオード特性)と、所定のパルス電圧が印加されることによって抵抗値が増加/減少する特性(可変抵抗特性)とを示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に接続される状態変化材料とを備え、前記状態変化材料は、前記第1の電極および前記第2の電極のうちいずれか一方から他方へ向かう方向を順方向とし他方を逆方向とするダイオード特性を示し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に印加される所定のパルス電圧に応じて、当該状態変化材料の順方向における抵抗値が増加/減少する可変抵抗特性を示すことを特徴とする電気素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , G11C 11/15 , H01L 49/00 , H01L 45/00 , H01L 43/08

FI (7件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 461 , G11C11/15 112 , H01L49/00 Z , H01L45/00 Z , H01L43/08 M , G11C11/15 140

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083ZA13

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第6,204,139号公報
米国特許第6,673,691号公報
米国特許第6,531,371号公報

全件表示

審査官引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-038225 出願人：三洋電機株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-164451 出願人：松下電器産業株式会社
垂直スタック型フィールド・プログラマブル不揮発性メモリおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-583042 出願人：マトリックスセミコンダクターインコーポレーテッド

全件表示

前のページに戻る